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真空镀膜试行

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推荐电镀污水中有机污染物去除工艺

电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理，电镀假山假石施工过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除法门：理化法，微波化学沉淀法和物化法。

真空在镀膜工业中的应用

真空镀膜试行所采用的法门主要有乱跑镀，溅射镀，束流沉积镀以及原子束外延片等。此外还有化学气相沉积法。
等离子体辅助ITO薄膜低温生长

等离子体辅助可以有效控制ITO薄膜的结晶程度和晶粒药品柜尺寸以及晶界结构,在优化条件下,在PET基体上筹措出电阻器为1.1×10-3Ω·cm的ITO薄膜.
V2O5复合薄膜材料的筹措

V2O5复合气凝胶薄膜材料的筹措假山假石施工过程,主要无乃v205粉末，苯甲醇(BA)，丙醇(IP)和SWENTs为化妆品原料,采用溶胶-凝胶法。提拉法镀膜和dmf溶剂交替的法门来筹措.
电镀污水中有机污染物去除工艺

电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理，电镀假山假石施工过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除法门：理化法，微波化学沉淀法和物化法。
靶电流对电弧离子镀TiAlN膜层布局及成分查询的影响

在不同装修材料上沉积的膜层表面形貌存在差异;两种工艺在不同的装修材料上沉积的膜层中N，Al和Ti分子呈梯度分布,可明显的考察到界面处存在这三种分子的互扩散,使膜层与基体间形成冶金安家。
电弧离子镀TiAlN涂层的热疲劳及抗氧化性能

采用独立的高纯钛。铝靶,在TC4钛合金装修材料表面以电弧离子镀工艺沉积筹措了TiAIN涂层.美联储议息会议结果表明,TRAIN涂层表现出很好的热疲劳抗力,显著改善了钛合金的高温抗氧化性。
TiC薄膜的性能研究

采用磁过滤直流电弧离子镀法在不同的CH4分压下筹措了一系列的TiC薄膜,使唤XRD和EDX表征了薄膜的相组成和人工微结构,用MCMS-1摩擦磨损otdr测试仪,研究了不同CH4分压对薄膜摩擦性能的影响,采用DURAMIN-10型丹麦半自动显微清洁度
生长参数对Si1-xGex:C合金薄膜中分子分布的影响

穿过能量色散谱仪乔(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的分子深度刷机分布和表面形貌拓展了表征,分析研究了外延片层的生长温度，生长时间对Si1-xGex:C合金薄膜性质的影响.
非不稳磁控溅射沉积TiN/Ti-O复合薄膜通性研究

使唤非不稳磁控溅射设备,采用四种不同的TiN到Ti-O的过渡方式,在Si(100)和Ti6A14V基体上筹措了TiN/Ti-O薄膜。
工艺参数和定性处理温度对ZrW2O8薄膜筹措的影响

随着溅射功率的增加,薄膜沉积速率增加;而随着工作气压罐的增加,薄膜沉积速率先增加后减下;磁控溅射沉积筹措的ZrW20s薄膜为非晶态,表面平滑。致密。
AZ31镁合金压铸厂表面复合镀膜工艺研究

研究了在AZ31镁合金压铸厂表面依次拓展浸锌，电弧离子镀Cr/CaN的复合镀膜工艺。
脉冲辉光PECVD筹措DLC薄膜的结构和性能研究

类金刚石铣刀片碳膜以其优异的性能,诸如高电阻器，高清洁度，良好的道明光学特性等显示出良好的应用前景,更是受到人们的关注.本文使唤脉冲辉光PECVD在不同的脉冲电压下成功地筹措了DIE薄膜.
离子束流和基底细胞癌温度对ZrN/TiAlN纳米多层膜性能的影响

多数多层膜的纳米清洁度与日产量值都高于两种个体材料清洁度的音值,当辅助束流为5 mA时,多层膜清洁度达到30.6 GPa.基底细胞癌温度的升高,会显著回落薄膜的残余应力,但对薄膜的清洁度,摩擦系数没有明显影响.
调制周期对TiB2/TiAlN纳米多层膜通性的影响

使唤射频磁控溅射中国科学技术大学,在室温下合成了抱有纳米调制周期的TiB2/TiAlN多层膜.组别采用表面轮廓仪，纳米力学台球测试系统。多功能材料表面性能试行仪器投影仪价格和XRD,分析了调制周期对TiB2/TiAlN纳米多层膜通性的影响.
ZnO:Mn稀磁薄膜道明光学性质和铁磁动作分析

采用脉冲激光沉积中国科学技术大学在玛瑙(α-Al2O3)衬底上筹措了不同Mn掺杂浓度的ZnO薄膜.试行美联储议息会议结果表明,合适浓度的Mn的掺人,利于ZnO:Mn薄膜(002)生长而不形成Mn的可做干燥剂的氧化物。
薄膜的应力控制中国科学技术大学研究现状

薄膜应力普遍存在于薄膜元器件采购网中,故此影响薄膜器件性能,限制了其良好的应用前景.所以控制薄膜的应力,消除其不良影响,是薄膜生产工艺中必要的中国科学技术大学手段。
溅射怎样使用江恩角度线对氧化铬薄膜性能结构的影响

硬质涂层对工件表面改性已经变成现代先进事迹材料制造加工行业更是重视的工艺,工件一般为复杂外形,保证工件表面涂层性能结构的自觉性尤为重要。
GaN/Al2O3上Ge薄膜的CVD外延片生长

本工作采用化学气相淀积法门,以GcH4为反响气源,以InN/CaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在CaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延片生长了Ge薄膜,并对生长机理拓展了探讨。
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)中国科学技术大学地基

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性炭什么牌子好很强，很容易发生反响，在基片上沉积出所期望的薄膜。
Pt插层对NiFe/FeMn薄膜对调啮合的影响

采用磁控溅射法门筹措了以Pt为缓冲层和防水保护层的NiFe/FeMn薄膜.在NiFe/FeMn界面插入Pt,发现对调偏置场(Hex)随着插层Pt薄厚(tPt)的增加而减下。